| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)貨直(zhí)供
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)缺陷:
ZnO压敏電(diàn)阻器中(zhōng)的(de)缺陷有(yǒu)正(zhèng)一(yī)價和(hé)正(zhèng)二(èr)價的(de)Zni和(hé)Vo,負一(yī)價和(hé)負二(èr)價的(de)
VZn ,正(zhèng)一(yī)價的(de)DZn。VZn主要(yào)在(zài)晶界處(chù),VZn为(wèi)受主态,使晶粒(lì)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)一(yī)電(diàn)子耗盡层(céng)而(ér)産生(shēng)勢壘,约0.7eV。Zni容易遷移为(wèi)亚穩态,是(shì)老(lǎo)化(huà)産生(shēng)的(de)根(gēn)源所(suǒ)在(zài)。DZn可(kě)降低(dī)晶粒(lì)體(tǐ)的(de)電(diàn)阻,提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。Vo在(zài)氧不(bù)足的(de)ZnO-x中(zhōng)量(liàng)很少(shǎo),主要(yào)存在(zài)于晶界中(zhōng)。高温(wēn)时(shí)原子運動(dòng)加剧,在(zài)晶界中(zhōng)形成(chéng)大(dà)量(liàng)的(de)VZn和(hé)Vo,但Vo在(zài)冷(lěng)卻过(guò)程中(zhōng)容易從空(kōng)气(qì)中(zhōng)吸收(shōu)氧而(ér)消失。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制
ZnO压敏電(diàn)阻器的(de)限压原理(lǐ):
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其(qí)中(zhōng)VS为(wèi)浪湧電(diàn)压,Zsourc为(wèi)浪湧電(diàn)压源的(de)阻抗,如(rú)傳输線(xiàn)的(de)電(diàn)阻或(huò)線(xiàn)圈的(de)電(diàn)感(gǎn)等,ZSIOV
为(wèi)ZnO压敏電(diàn)阻器在(zài)某電(diàn)流下(xià)的(de)電(diàn)阻。浪湧電(diàn)压源的(de)阻抗往往被(bèi)低(dī)估,因浪湧電(diàn)流包(bāo)含許多KHz—MHz的(de)交流成(chéng)分(fēn),其(qí)阻抗比低(dī)頻时(shí)大(dà)得多。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |